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      CVD-二維類石墨烯產品>CVD-2H-MoTe2全覆蓋連續薄膜(進口)
       
      CVD-2H-MoTe2全覆蓋連續薄膜(進口)
       
      貨號: 100888 規格: 1*1cm2
      CAS號: 12058-20-7 保質期:
      編號: MK1088 保存條件:
      包裝: 原包裝進口
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      Characteristics of CVD grown 2H (semiconducting phase) MoTe2 sheets         

      Product Description

      2H semiconducting phase few-layer MoTe2 (3-6 layers) has been grown on 1cmsize c-cut sapphire substrates using low-pressure chemical vapor deposition technique (LPCVD). Grown sheets can also be transferred onto other substrates such as quartz, SiO2/Si, PET, metals, and others on request. Few-layer MoTe2 reach full area coverage on sapphire, exhibit outstanding environmental stability, surface smoothness, and uniformity. Grown sheets are environmentally stable and exhibit band gap between bulk (0.6 eV) and monolayer (1.1 eV). 

      Special note: Despite extensive R&D efforts, CVD grown monolayer MoTe2 are environmentally rather unstable due to uncontrollable defect characteristics. We are unable to provide monolayer thick MoTe2 at this time. 


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